RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston HX424C15FB/16 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Kingston HX424C15FB/16 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Kingston HX424C15FB/16 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16
15.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
8.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston HX424C15FB/16 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
24
Около -9% меньшая задержка
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston HX424C15FB/16 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
22
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.5
Скорость записи, Гб/сек
12.5
8.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2550
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston HX424C15FB/16 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Apacer Technology 78.CAGMR.ARC0B 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZR 16GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Corsair CMR64GX4M4C3333C16 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston KHX2933C17S4/8G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link