RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
24
Около -4% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.1
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
23
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
18.0
Скорость записи, Гб/сек
12.5
13.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3211
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CM4X8GF2400C16K4 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16/16G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Super Talent F24EB8GS 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link