RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gesamtnote
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
17000
Rund um 1.13% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
24
Rund um -4% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18
16
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.1
12.5
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
24
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.0
18.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
13.1
Speicherbandbreite, mbps
19200
17000
Other
Beschreibung
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2925
3211
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB RAM-Vergleiche
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston HX432C15PB3/16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Avant Technology J644GU44J1293NF 32GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Kingston XF875V-HYA 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link