RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
35
Около 31% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
13.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
10.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
35
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
13.5
Скорость записи, Гб/сек
12.5
10.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2155
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB Сравнения RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3333C16 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBD 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9965589-008.D01G 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston 9905702-019.A00G 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Corsair CM4X16GE2666C16K2 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link