RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
26
Около 8% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
14.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
9.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
26
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
14.5
Скорость записи, Гб/сек
12.5
9.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2544
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9965589-017.D00G 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston KHX3000C15D4/8GX 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BDBS 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Lenovo 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Corsair CMK128GX4M4A2400C16 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link