RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
27
Около 11% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
14.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
8.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
27
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
14.9
Скорость записи, Гб/сек
12.5
8.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2373
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAR 4GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C14 8GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMW32GX4M2C3333C16 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston MSI24D4S7D8MH-16 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Kingston 9965604-008.D00G 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C13 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link