RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
27
Около 11% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
14.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
8.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
27
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
14.9
Скорость записи, Гб/сек
12.5
8.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2373
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 99U5663-001.A00G 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston KHX2400C15/16G 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Corsair CMK64GX4M2D3600C18 32GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link