RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Сравнить
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB против Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
-->
Средняя оценка
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Средняя оценка
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
66
Около 61% меньшая задержка
Выше скорость записи
7.6
7.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.7
11.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
66
Скорость чтения, Гб/сек
11.9
14.7
Скорость записи, Гб/сек
7.6
7.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1610
1699
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB Сравнения RAM
Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905701-021.A00G 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3333C16 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston XJV223-MIE-NX 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU5-GNL-F 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link