RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Сравнить
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB против Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
-->
Средняя оценка
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Средняя оценка
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
6
18.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
44
Около -69% меньшая задержка
Выше скорость записи
16.6
1,892.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
44
26
Скорость чтения, Гб/сек
6,181.5
18.9
Скорость записи, Гб/сек
1,892.9
16.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
851
3866
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Apacer Technology 78.C1GS7.DFW0C 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
AMD R948G2806U2S 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Apacer Technology 78.D1GS7.B7B0B 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston KHX3333C17D4/4GX 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link