RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Сравнить
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB против Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
-->
Средняя оценка
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Средняя оценка
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
6
18.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
44
Около -69% меньшая задержка
Выше скорость записи
16.6
1,892.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
44
26
Скорость чтения, Гб/сек
6,181.5
18.9
Скорость записи, Гб/сек
1,892.9
16.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
851
3866
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
Kingston 9905670-012.A00G 8GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Ramaxel Technology RMUA5210ME88HCF-3200 32GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBR 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link