Kingston 9905471-002.A00LF 2GB против Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB

-->

Средняя оценка

Kingston 9905471-002.A00LF 2GB

Kingston 9905471-002.A00LF 2GB

Средняя оценка

Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB

Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Kingston 9905471-002.A00LF 2GB

Причины выбрать
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB

Сообщить об ошибке

Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB

Причины выбрать
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

24 73

Около -204% меньшая задержка
Выше скорость чтения

14.9 6.1

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

10.6 4.7

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 8500

Около 2.26 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Kingston 9905471-002.A00LF 2GB

Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

73 24
Скорость чтения, Гб/сек

6.1 14.9
Скорость записи, Гб/сек

4.7 10.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек

8500 19200

Other

Описание

PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1066 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1021 2196

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

AMD R5S38G1601U2S 8GB

AMD R5S38G1601U2S 8GB

Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB

Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB

модули RAM

Kingston 9905471-002.A00LF 2GB

Kingston 9905471-002.A00LF 2GB

Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB

Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB

модули RAM

Kingston 9905471-006.A01LF 4GB

Kingston 9905471-006.A01LF 4GB

Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB

Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Avant Technology W642GU42J7240N8 16GB

Avant Technology W642GU42J7240N8 16GB

модули RAM

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB

Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB

модули RAM

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

Corsair CMD64GX4M8X3800C19 8GB

Corsair CMD64GX4M8X3800C19 8GB

модули RAM

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB

GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB

модули RAM

Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB

Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB

Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB

Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200

модули RAM

Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB

Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB

Apacer Technology 78.BAGSR.4030B 4GB

Apacer Technology 78.BAGSR.4030B 4GB

модули RAM

Kingston 9905471-071.A00LF 8GB

Kingston 9905471-071.A00LF 8GB

Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB

Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB

модули RAM

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB

Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB

модули RAM

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB

G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB

модули RAM

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB

G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB

модули RAM

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Corsair CMD32GX4M4C3200C14M 8GB

Corsair CMD32GX4M4C3200C14M 8GB

модули RAM