RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Сравнить
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB против Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
-->
Средняя оценка
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Средняя оценка
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
37
69
Около -86% меньшая задержка
Выше скорость чтения
9.6
6.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
7.8
3.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
69
37
Скорость чтения, Гб/сек
6.4
9.6
Скорость записи, Гб/сек
3.7
7.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1129
2082
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB
Samsung M391B5773DH0-CK0 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston KVR800D2E5-2G 2GB
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
Kingston HX424C15FB/8 8GB
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CM4X8GE2400C14K4 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMK128GX4M8A2400C14 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905701-004.A00G 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link