RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Сравнить
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
-->
Средняя оценка
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
37
Около 19% меньшая задержка
Выше скорость чтения
12.5
10.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
30
37
Скорость чтения, Гб/сек
12.5
10.4
Скорость записи, Гб/сек
7.8
7.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1917
2213
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB Сравнения RAM
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Kingston MSI16D3LS1KBG/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB Сравнения RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
Nanya Technology M2S4G64CB8HG5N-DI 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3333C16 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link