RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston K531R8-MIN 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Сравнить
Kingston K531R8-MIN 4GB против Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
-->
Средняя оценка
Kingston K531R8-MIN 4GB
Средняя оценка
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston K531R8-MIN 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
28
Около -27% меньшая задержка
Выше скорость чтения
21
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
19.6
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston K531R8-MIN 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
22
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
21.0
Скорость записи, Гб/сек
9.0
19.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2445
4240
Kingston K531R8-MIN 4GB Сравнения RAM
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M2B3733C17 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston 9905624-045.A00G 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Kingston KHX2400C15/16G 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMSO16GX4M1A2133C15 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C14 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link