RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Сравнить
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB против Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
-->
Средняя оценка
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Средняя оценка
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
14.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,410.6
11.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
61
Около -74% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
61
35
Скорость чтения, Гб/сек
4,230.0
14.8
Скорость записи, Гб/сек
2,410.6
11.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
754
2336
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB Сравнения RAM
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Kingston KHX2666C16S4/16G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMK64GX4M2A2400C16 32GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBR 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston 9905625-096.A00G 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMT32GX4M2Z3600C18 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kllisre 0000 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link