RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
Сравнить
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB против Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
-->
Средняя оценка
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
5
13.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
50
Около -39% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.8
1,905.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
50
36
Скорость чтения, Гб/сек
5,143.3
13.6
Скорость записи, Гб/сек
1,905.1
10.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
855
2690
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C15 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUW0C 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
AMD R748G2133U2S 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3733C17 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link