RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Сравнить
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB против Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
-->
Средняя оценка
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Средняя оценка
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
19.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
19
59
Около -211% меньшая задержка
Выше скорость записи
15.1
1,855.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
59
19
Скорость чтения, Гб/сек
4,168.0
19.4
Скорость записи, Гб/сек
1,855.7
15.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
680
3314
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB Сравнения RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Qimonda 72T256521EFD3SC2 2GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FADG 4GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4G1 2GB
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 9905743-023.A00G 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Kingston 9905678-033.A00G 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Apacer Technology 78.C1GS7.DFW0C 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link