RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Сравнить
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB против Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
-->
Средняя оценка
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Средняя оценка
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
56
59
Около -5% меньшая задержка
Выше скорость чтения
9.3
4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
7.7
1,855.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
59
56
Скорость чтения, Гб/сек
4,168.0
9.3
Скорость записи, Гб/сек
1,855.7
7.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
680
2200
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB Сравнения RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Qimonda 72T256521EFD3SC2 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB Сравнения RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GIS 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMU16GX4M2D3200C16 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston 9965589-017.D00G 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Essencore Limited KD48GS481-26N1600 8GB
Kingston HP16D3LS1KFG/4G 4GB
Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9905630-025.A00G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link