RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Сравнить
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB против A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
-->
Средняя оценка
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Средняя оценка
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
21300
Около 1.2% выше полоса пропускания
Причины выбрать
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
33
Около -32% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.7
17.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.8
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
33
25
Скорость чтения, Гб/сек
17.8
18.7
Скорость записи, Гб/сек
12.5
15.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
21300
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3285
3729
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905702-119.A00G 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 99U5713-002.A00G 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GVK 32GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FADG 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston 9905665-014.A00G 4GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston KHX3000C15D4/4GX 4GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link