RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Сравнить
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB против Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
-->
Средняя оценка
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Средняя оценка
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.8
16
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
33
Около -3% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.4
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
33
32
Скорость чтения, Гб/сек
17.8
16.0
Скорость записи, Гб/сек
12.5
13.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
19200
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3285
1897
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology C 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240082 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston K9CXF2-MIE 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link