RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Сравнить
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB против G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
45
Около 38% меньшая задержка
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.6
12.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.7
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
45
Скорость чтения, Гб/сек
12.9
16.6
Скорость записи, Гб/сек
9.0
11.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2112
3233
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZ20B 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16G
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Super Talent F3200UA8G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link