RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Сравнить
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB против Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
33
Около 15% меньшая задержка
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.9
12.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.4
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
12800
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
33
Скорость чтения, Гб/сек
12.9
16.9
Скорость записи, Гб/сек
9.0
10.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
25600
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2112
3035
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
AMD R748G2400U2S-UO 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 8KTF51264AZ-1G9P1 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Kingston 9905711-007.A00G 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 9905701-003.A00G 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9965698-001.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link