RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Сравнить
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB против Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Средняя оценка
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
58
70
Около 17% меньшая задержка
Выше скорость чтения
4
15.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
7.9
2,107.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
58
70
Скорость чтения, Гб/сек
4,025.3
15.7
Скорость записи, Гб/сек
2,107.0
7.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
670
1934
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.0AGA0.9K5 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK32GX4M2A2133C13 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14T 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Apacer Technology 78.CAGNK.4040B 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
INTENSO 5641160 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRK 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVSB 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston KHX2133C14S4/8G 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905700-013.A00G 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link