Micron Technology 36JSF2G72PZ-1G9N1 16GB против Micron Technology 36JSF2G72PZ-1G9E1 16GB

-->

Средняя оценка

Micron Technology 36JSF2G72PZ-1G9N1 16GB

Micron Technology 36JSF2G72PZ-1G9N1 16GB

Средняя оценка

Micron Technology 36JSF2G72PZ-1G9E1 16GB

Micron Technology 36JSF2G72PZ-1G9E1 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Micron Technology 36JSF2G72PZ-1G9N1 16GB

Причины выбрать
Micron Technology 36JSF2G72PZ-1G9N1 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

40 48

Около 17% меньшая задержка

Micron Technology 36JSF2G72PZ-1G9E1 16GB

Причины выбрать
Micron Technology 36JSF2G72PZ-1G9E1 16GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

10.6 9.6

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

8.1 8.0

Среднее значение в тестах

Спецификации

Полный список технических характеристик

Micron Technology 36JSF2G72PZ-1G9N1 16GB

Micron Technology 36JSF2G72PZ-1G9E1 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR3
Задержка в PassMark, нс

40 48
Скорость чтения, Гб/сек

9.6 10.6
Скорость записи, Гб/сек

8.0 8.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек

14200 14200

Other

Описание

PC3-14200, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13 PC3-14200, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
Тайминги / частота

no data no data
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2137 2357

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB

takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB

модули RAM

Micron Technology 36JSF2G72PZ-1G9N1 16GB

Micron Technology 36JSF2G72PZ-1G9N1 16GB

Micron Technology 36JSF2G72PZ-1G9E1 16GB

Micron Technology 36JSF2G72PZ-1G9E1 16GB

модули RAM

Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB

Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB

V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB

V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB

модули RAM

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB

G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB

модули RAM

Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB

Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB

Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB

Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB

модули RAM

Kingston 9905403-174.A00LF 2GB

Kingston 9905403-174.A00LF 2GB

Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB

Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB

модули RAM

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB

Corsair CMR32GX4M2A2666C16 16GB

Corsair CMR32GX4M2A2666C16 16GB

модули RAM

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB

Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB

Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB

Kingston HX424C15FB/16 16GB

Kingston HX424C15FB/16 16GB

модули RAM

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB

Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A

Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB

Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB

модули RAM

Kingston 9965516-430.A00G 16GB

Kingston 9965516-430.A00G 16GB

Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB

Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB

модули RAM

Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB

Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB

GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB

GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB

PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB

модули RAM