RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMK16GX4M1Z3600C18 16GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против Corsair CMK16GX4M1Z3600C18 16GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
Corsair CMK16GX4M1Z3600C18 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
21300
Около 1.2% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Corsair CMK16GX4M1Z3600C18 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
51
Около -59% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.5
15.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.4
11.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMK16GX4M1Z3600C18 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
32
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
18.5
Скорость записи, Гб/сек
11.8
13.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
21300
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
3356
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK16GX4M1Z3600C18 16GB Сравнения RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Mushkin 99[2/7/4]183 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Apacer Technology 78.CAGQE.C750B 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMW64GX4M8C3000C15 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Avant Technology W641GU42J9266NC 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link