RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBR 16GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBR 16GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBR 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBR 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
51
Около -55% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.3
15.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.8
11.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBR 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
33
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
16.3
Скорость записи, Гб/сек
11.8
12.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
19200
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
3202
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBR 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston X75V1H-MIE 32GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link