RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
51
Около -76% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.3
15.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.3
11.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
29
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
19.3
Скорость записи, Гб/сек
11.8
15.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
19200
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
3557
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Avant Technology W641GU42J7240NC 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905711-017.A00G 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Samsung M3 78T6553CZ3-CE6 512MB
Corsair CMK32GX4M2D3200C16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3733C17 8GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link