RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
21300
Около 1.2% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
51
Около -65% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.6
15.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
11.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
31
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
16.6
Скорость записи, Гб/сек
11.8
12.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
21300
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
2605
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B1G73BH0-CK0 8GB
Kingston 99P5471-016.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C18 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9905665-009.A00G 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMR32GX4M4A2666C16 8GB
Mushkin 991586 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Kingston 9905701-006.A00G 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMD32GX4M4B3466C16 8GB
Elpida EBE10UE8AFSA-8G-F 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FADP 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link