RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
21300
Около 1.2% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
51
Около -55% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.7
15.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.8
11.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
33
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
19.7
Скорость записи, Гб/сек
11.8
14.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
21300
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
3671
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston 99U5743-031.A00G 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMK64GX4M4C3200C16 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180X 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston KHX2933C17S4/16G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link