RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против V-GEN D4H4GS24A8 4GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
51
94
Около 46% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.6
14.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.8
7.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33% выше полоса пропускания
Причины выбрать
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
94
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
14.7
Скорость записи, Гб/сек
11.8
7.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
19200
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
1506
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston 9965698-001.A00G 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Corsair CMK64GX4M4D3600C18 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link