RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Сравнить
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
12.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
92
Около -217% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.6
1,266.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
92
29
Скорость чтения, Гб/сек
2,105.4
12.2
Скорость записи, Гб/сек
1,266.1
9.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
339
2443
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB Сравнения RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Kingston 9905624-044.A00G 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Kingston KHX1600C10D3/8GXF 8GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMK128GX4M8X3600C18 16GB
Nanya Technology NT1GT64U8HB0BN-3C 1GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-Y5 1GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Essencore Limited KD48GU481-26N1600 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAD 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4W.M16FB1 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link