RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB

Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB против Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB

Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB

Средняя оценка
star star star star star
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Причины выбрать
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Сообщить об ошибке
  • Выше скорость чтения
    2 left arrow 15.8
    Среднее значение в тестах
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB Причины выбрать
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    29 left arrow 92
    Около -217% меньшая задержка
  • Выше скорость записи
    12.2 left arrow 1,266.1
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    19200 left arrow 6400
    Около 3 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR2 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    92 left arrow 29
  • Скорость чтения, Гб/сек
    2,105.4 left arrow 15.8
  • Скорость записи, Гб/сек
    1,266.1 left arrow 12.2
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    6400 left arrow 19200
Other
  • Описание
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
  • Тайминги / частота
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    339 left arrow 2865

Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Сравнения RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB Сравнения RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
модули RAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
модули RAM
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240082 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240082 8GB
модули RAM
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
модули RAM
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
модули RAM
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
модули RAM
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
модули RAM
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
модули RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD32G13332 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD32G13332 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G13332 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G13332 4GB
модули RAM
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
модули RAM
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston 9905701-141.A00G 16GB
Kingston 9905701-141.A00G 16GB
модули RAM
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9965669-032.A00G 16GB
Kingston 9965669-032.A00G 16GB
модули RAM
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
модули RAM
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
модули RAM