RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Porównaj
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
15.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
92
Wokół strony -217% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.2
1,266.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
92
29
Prędkość odczytu, GB/s
2,105.4
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,266.1
12.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
339
2865
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMK128GX4M8B3333C16 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8F 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FAD 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3733 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Apacer Technology 78.CAGN7.4000C 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link