RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Сравнить
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB против Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
16.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
92
Около -179% меньшая задержка
Выше скорость записи
11.4
1,266.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
92
33
Скорость чтения, Гб/сек
2,105.4
16.5
Скорость записи, Гб/сек
1,266.1
11.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
339
2913
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston CBD24D4S7S8MB-8 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180X 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMK64GX4M4A2666C16 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2800C12 4GB
Essencore Limited KD4AGS88C-32N220D 16GB
Kingston 99P5474-037.A00LF 4GB
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4R.M16FB1 32GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link