RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
Сравнить
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB против Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Средняя оценка
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
16
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
45
92
Около -104% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.3
1,266.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
6400
Около 4 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
92
45
Скорость чтения, Гб/сек
2,105.4
16.0
Скорость записи, Гб/сек
1,266.1
13.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
25600
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
339
2943
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 99U5743-031.A00G 16GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Corsair CM4B8G2J2666A15D 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link