RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Сравнить
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB против Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
15.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
61
Около -97% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.6
2,077.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
61
31
Скорость чтения, Гб/сек
3,835.2
15.4
Скорость записи, Гб/сек
2,077.3
9.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
606
2554
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB Сравнения RAM
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston 9905678-041.A00G 4GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Mushkin 991586 2GB
Kingston 9965684-005.A00G 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Asgard VMA41UH-MEC1U2AW1 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Essencore Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMSX32GX4M2A2933C19 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link