RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
Сравнить
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB против Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Средняя оценка
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
15.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
71
Около -97% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.4
1,322.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
71
36
Скорость чтения, Гб/сек
2,831.6
15.1
Скорость записи, Гб/сек
1,322.6
12.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
399
2871
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB Сравнения RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMR16GX4M2C 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link