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Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
比较
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
总分
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
总分
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
15.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
36
71
左右 -97% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.4
1,322.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
71
36
读取速度,GB/s
2,831.6
15.1
写入速度,GB/s
1,322.6
12.4
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
399
2871
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB RAM的比较
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
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Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Kingston KHX2400C12D4/16GX 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 99U5678-029.A00G 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Corsair CMK32GX4M2D3000C16 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
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