RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Сравнить
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB против Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Средняя оценка
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
17.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
71
Около -137% меньшая задержка
Выше скорость записи
14.5
1,322.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
71
30
Скорость чтения, Гб/сек
2,831.6
17.2
Скорость записи, Гб/сек
1,322.6
14.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
399
3505
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CM4X8GE2666C16K4 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3000D464L16S/8G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link