RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Сравнить
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB против Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Средняя оценка
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
71
81
Около 12% меньшая задержка
Причины выбрать
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
8.5
2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
5.6
1,322.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
71
81
Скорость чтения, Гб/сек
2,831.6
8.5
Скорость записи, Гб/сек
1,322.6
5.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
399
1651
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Corsair CM4X4GF2133C13K4 4GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE1 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9965698-001.A00G 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingston XJV223-MIE 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link