RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Сравнить
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB против SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Средняя оценка
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
15.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
71
Около -109% меньшая задержка
Выше скорость записи
11.6
1,322.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
71
34
Скорость чтения, Гб/сек
2,831.6
15.4
Скорость записи, Гб/сек
1,322.6
11.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
399
2786
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Kingston 9905713-035.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMW64GX4M4A2666C16 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMV16GX4M1A2133C15 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9965662-015.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Corsair CMW32GX4M2A2666C16 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link