RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Gesamtnote
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Gesamtnote
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
15.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
34
71
Rund um -109% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.6
1,322.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
5300
Rund um 4.02 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
71
34
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,831.6
15.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,322.6
11.6
Speicherbandbreite, mbps
5300
21300
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
399
2786
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C14 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905678-026.A00G 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Mushkin 991586 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FHP 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30CEST.16FD 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston XJV223-MIE 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston 9965690-002.A00G 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link