RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Panram International Corporation PUD31600C114G2VS 4GB
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
Сравнить
Panram International Corporation PUD31600C114G2VS 4GB против Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
-->
Средняя оценка
Panram International Corporation PUD31600C114G2VS 4GB
Средняя оценка
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Panram International Corporation PUD31600C114G2VS 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
37
40
Около -8% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.4
13.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.3
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Panram International Corporation PUD31600C114G2VS 4GB
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
40
37
Скорость чтения, Гб/сек
13.6
15.4
Скорость записи, Гб/сек
8.4
11.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2255
2765
Panram International Corporation PUD31600C114G2VS 4GB Сравнения RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Panram International Corporation PUD31600C114G2VS 4GB
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB
Corsair CM3X2G1600C9 2GB
Kingston 9905734-061.A00G 32GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Kingston 9965669-008.A03G 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston KHX2666C16/16G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-VK 32GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link