RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
Сравнить
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB против Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
-->
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Средняя оценка
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
35
Около -35% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.3
13.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.2
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
35
26
Скорость чтения, Гб/сек
13.7
14.3
Скорость записи, Гб/сек
9.6
11.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2312
2912
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Ramaxel Technology RMSA3330ME88HCF-3200 32GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link