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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
比较
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
总分
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
总分
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
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需要考虑的原因
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
26
35
左右 -35% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.3
13.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.2
9.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
35
26
读取速度,GB/s
13.7
14.3
写入速度,GB/s
9.6
11.2
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2312
2912
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB RAM的比较
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
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Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB RAM的比较
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
Mushkin 99[2/7/4]183 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
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