RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMR16GX4M2C3600C18 8GB
Сравнить
PNY Electronics PNY 2GB против Corsair CMR16GX4M2C3600C18 8GB
-->
Средняя оценка
PNY Electronics PNY 2GB
Средняя оценка
Corsair CMR16GX4M2C3600C18 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
PNY Electronics PNY 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
28
Около 4% меньшая задержка
Причины выбрать
Corsair CMR16GX4M2C3600C18 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18.8
13.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.6
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMR16GX4M2C3600C18 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
28
Скорость чтения, Гб/сек
13.8
18.8
Скорость записи, Гб/сек
8.4
14.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2274
3458
PNY Electronics PNY 2GB Сравнения RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Corsair CMR16GX4M2C3600C18 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston 9905713-030.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link