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PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMR16GX4M2C3600C18 8GB
比较
PNY Electronics PNY 2GB vs Corsair CMR16GX4M2C3600C18 8GB
总分
PNY Electronics PNY 2GB
总分
Corsair CMR16GX4M2C3600C18 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PNY Electronics PNY 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
28
左右 4% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMR16GX4M2C3600C18 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18.8
13.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.6
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMR16GX4M2C3600C18 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
28
读取速度,GB/s
13.8
18.8
写入速度,GB/s
8.4
14.6
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2274
3458
PNY Electronics PNY 2GB RAM的比较
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Corsair CMR16GX4M2C3600C18 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
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Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingston 9905622-057.A00G 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMK128GX4M4A2400C16 32GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
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