RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
Сравнить
PNY Electronics PNY 2GB против Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
-->
Средняя оценка
PNY Electronics PNY 2GB
Средняя оценка
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
PNY Electronics PNY 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
35
Около 23% меньшая задержка
Причины выбрать
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17
13.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.5
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
35
Скорость чтения, Гб/сек
13.8
17.0
Скорость записи, Гб/сек
8.4
11.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2274
2699
PNY Electronics PNY 2GB Сравнения RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston XJV223-MIE 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link