RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Сравнить
PNY Electronics PNY 2GB против Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
-->
Средняя оценка
PNY Electronics PNY 2GB
Средняя оценка
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
PNY Electronics PNY 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
39
Около 31% меньшая задержка
Причины выбрать
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.5
13.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.6
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
PNY Electronics PNY 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
39
Скорость чтения, Гб/сек
13.8
17.5
Скорость записи, Гб/сек
8.4
10.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2274
2600
PNY Electronics PNY 2GB Сравнения RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Super Talent F24EA8GS 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMK64GX4M2C3200C16 32GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16X 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link