RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Сравнить
PNY Electronics PNY 2GB против OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
-->
Средняя оценка
PNY Electronics PNY 2GB
Средняя оценка
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
PNY Electronics PNY 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.4
13.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.5
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
10600
Около 2.42 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
PNY Electronics PNY 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
27
Скорость чтения, Гб/сек
13.8
17.4
Скорость записи, Гб/сек
8.4
14.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
25600
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2274
3692
PNY Electronics PNY 2GB Сравнения RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
PNY Electronics PNY 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston ACR24D4S7S1MB-4 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/8G 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVSB 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link