RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Сравнить
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB против Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB
Средняя оценка
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
43
45
Около 4% меньшая задержка
Причины выбрать
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
12
10.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
7.8
6.9
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR3
Задержка в PassMark, нс
43
45
Скорость чтения, Гб/сек
10.6
12.0
Скорость записи, Гб/сек
6.9
7.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
12800
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1647
1939
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK128GX4M8X3800C19 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston KHX4266C19D4/8GX 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston HP24D4R7D4MAM-32 32GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link