Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Puntuación global

Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB

Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB

Puntuación global

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Diferencias Especificaciones Comentarios

Diferencias

Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB

Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB

Informar de un error

Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns

43 45

En 4% menor latencia

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Informar de un error

Mayor velocidad de lectura, GB/s

12 10.6

Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s

7.8 6.9

Valor medio en las pruebas

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas

Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Principales características

Tipo de memoria

DDR3 DDR3
Latencia en PassMark, ns

43 45
Velocidad de lectura, GB/s

10.6 12.0
Velocidad de escritura, GB/s

6.9 7.8
Ancho de banda de la memoria, mbps

12800 12800

Other

Descripción

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Tiempos / Velocidad del reloj

9-9-9-24 / 1600 MHz 9-9-9-24 / 1600 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)

1647 1939

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

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